漏れ電流値1pA以下を実現したMOS FETリレーモジュール 形G3VM-21MT のご紹介

G3VM-21MTは世界で初めて^※1「T型回路構造」^※2を採用した電子部品です。無接点で信号を出力する長寿命で小型の半導体リレーを複数組み合わせて、T型回路構造のモジュールとしたことにより、半導体などの試験装置で課題となっていた「漏れ電流」^※3を極小化することに成功しました。G3VM-21MTは高精度での測定と試験装置のメンテナンス頻度の低減を両立します。

• ※1 リレーモジュールとして世界初となる、複数のMOS FETリレーを組み合わせて構成した「T型回路構造」を採用（2019年4月 オムロン調べ）
• ※2 減衰機（アッテネータ）等に用いられる回路構成を応用した、漏れ電流を極小化する回路
• ※3 電子回路の内部で、本来電流が流れない絶縁された箇所から漏れ出るように電流が流れる現象